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    中國電科支撐河北打造第三代半導體創新發展高地
    來源:新聞中心
    發布時間:2022年09月23日 編輯:新聞中心

      8月5日,河北省第三代半導體產業創新聯合體成立。該聯合體由中國電科13所等15家第三代半導體領域相關核心企業、研究機構、院所聯合發起,著力打造河北省第三代半導體創新發展高地。

           第三代半導體擁有較寬的禁帶寬度,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件,在5G基站、新能源車、高鐵等領域有著很大應用潛力。國家“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要都明確指出“支持碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展”。

      

      

      13所較早在國內開始碳化硅功率芯片和器件研究,具有國內領先的技術實力。立足河北,13所聚焦碳化硅功率芯片和器件產品研發生產,率先建立了6英寸碳化硅器件工藝平臺,具備低壓到萬伏級碳化硅二極管、MOSFET、模塊的產品研發能力。

           習近平總書記對河北充滿深情、寄予厚望,親自謀劃、親自部署、親自推動實施京津冀協同發展戰略,強調要集聚和利用高端創新資源,積極開展重大科技項目研發合作,打造我國自主創新的重要源頭和原始創新的主要策源地。

           中國電科深入貫徹落實習近平總書記關于京津冀協同發展的一系列重要講話和重要指示批示精神,把河北作為集團公司產業布局重點,搶抓數字經濟發展機遇,在第三代半導體等領域持續發力,不斷完善從材料到核心元器件的產業鏈關鍵環節布局,實現第三代半導體材料和關鍵元器件批量供給,更好服務地方經濟社會高質量發展。中國電科董事長、黨組書記陳肇雄表示,要發揮好全產業鏈優勢,搶占技術創新“制高點”、擔當產業發展“領頭雁”、培育機制創新“試驗田”、打造行業人才“蓄水池”,有力支撐服務第三代半導體創新發展。

      

      2022年,13所全面開啟碳化硅產業發展年,推出一系列第三代半導體射頻芯片、電力電子芯片,在無線通信、新能源汽車等領域廣泛應用,為加快打造第三代半導體產業鏈“鏈長”奠定堅實基礎。

           同時,作為國內碳化硅電力電子器件主要供應商之一,13所堅持對標國際一線廠家,推進6-8英寸碳化硅MOSFET車規級芯片的規劃建設,與國內眾多一線整機廠商建立了緊密合作關系,在推動產品國產化的進程中發揮了至關重要的作用。

           氮化鎵作為另一種重要的第三代半導體材料,也是中國電科在河北布局的重點。13所已在氮化鎵領域開發了包括氮化鎵微波功率器件、微波功率單片集成電路等千余款產品,產品整體水平達到國際先進水平,效率、功率等部分主要技術指標達到國際領先水平。

      

      “在氮化鎵射頻芯片領域,我們已經實現了從外延生長、芯片設計、工藝加工、模塊設計、封裝測試等全產業鏈自主創新,并實現產品化?!奔夹g人員介紹。

           目前,13所研制出通信基站用氮化鎵射頻芯片系列上百款產品,產品性能及可靠性均達到國際先進水平,累計銷售近億只,國內市場占有率達到40%,有力保障了我國5G基站的建設實施。

      9月7日,經中央有關部門批準,13所更名為中國電科產業基礎研究院,瞄準國家急迫需要和長遠需求,系統整合集成電路與核心元器件優勢資源,全力打好產業基礎高級化、產業鏈現代化攻堅戰,也將有力推動河北第三代半導體產業高質量發展。

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